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Ultrafeiner Diamantschlamm steigert die Leistung der SiC-Wafer-Verarbeitung

Um den steigenden Anforderungen der innovativen Elektronikindustrie gerecht zu werden, stehen Hersteller vor der einzigartigen Herausforderung, leistungsstarke Halbleiter schneller und effizienter zu entwickeln. Neue Materialien wie Siliziumkarbid (SiC) haben aufgrund ihrer überlegenen Eigenschaften erhebliche Aufmerksamkeit erregt, denn diese ermöglichen einen geringeren Energieverbrauch, schnelleres Schalten und eine längere Batterielebensdauer. SiC ist ein hochwertiges Material, das häufig in der Halbleiterchipproduktion verwendet wird. Werkzeughersteller stehen jedoch vor der Herausforderung, ihre SiC-Waferproduktionsprozesse und Materialentfernungsmethoden zu verfeinern, um das volle Potenzial dieses Materials auszuschöpfen.
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Auswirkungen von Diamanten auf die Verbesserung der SiC-Wafer-Verarbeitung

 

Waferhersteller stehen bei der Verarbeitung von Siliziumkarbid-Wafern vor einer erheblichen Herausforderung. Die Aufgabe besteht darin, Material mit kontrollierter Geschwindigkeit zu entfernen, ohne Kratzer und Defekte an der SiC-Waferoberfläche zu verursachen. Diamanten, das härteste Material der Welt, werden frühzeitig während des SiC-Wafer-Prozesses verwendet, um SiC-Material vor den letzten Polierschritten zu entfernen. Aufgrund des wahrgenommenen Kratzrisikos werden sie jedoch bei den späteren Polierschritten selten verwendet.

 

Während des letzten Polierschritts wird häufig chemisches mechanisches Polieren (CMP) verwendet, um die Wafer auf die gewünschte Oberflächenoberfläche ohne Untergrundschäden zu polieren. Obwohl effektiv, dauert es wesentlich lange, bis CMP effektiv poliert hat, und dies wird zu einem Engpass im SiC-Wafer-Prozess.

 

Hyperion Materials & Technologies hat einen neuen ultrafeinen Diamantschlamm mit einer mikrogeätzten Diamantoberfläche entwickelt. Die ultrafeine Lösung mit einer innovativen Oberfläche, die viele Schnittpunkte enthält, trägt dazu bei, die Verarbeitungszeit beim Polieren von SiC-Wafern zu verbessern und die Zeit zu verkürzen, die für die Entwicklung eines epi-fähigen Wafers erforderlich ist. Durch die deutliche Verbesserung der Verarbeitungsleistung mit außergewöhnlicher Oberflächenqualität in den letzten Phasen des SiC-Prozesses bietet der ultrafeine Diamant von Hyperion eine überzeugende Option, um die traditionellen langen CMP-Stufen zu reduzieren.

 

Hyperion-Suspensionen-und-Compounds

Diamantenschlämme von Hyperion.

 

Der neue Ultra-Fine Diamantenschlamm von Hyperion steigert die Verarbeitungsleistung von Siliziumkarbid-Wafern

 

Lesen Sie den Artikel „Boosting SiC Wafer Process Performance“ und entdecken Sie die Vorteile der neuen ultrafeinen Lösung von Hyperion, um die endgültige CMP-Polierzeit zu reduzieren und den gesamten SiC-Produktionsprozess zu verbessern, um hochwertige SiC-Wafer zu erzeugen. Laden Sie den technischen Hinweis herunter, um zu erfahren, wie diese innovative Diamantoption eine schnellere Verarbeitungszeit als herkömmliche CMP-Schlämme allein erreicht.

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Diamanten