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抛光碳化硅晶片时大大减少抛光液使用量

在晶片制造过程中加工超硬基体时,制造商力求于晶片制造流程的每一个步骤中都能实现材料去除的一致性,并将表面损伤降至最低。碳化硅(SiC)吸引了众多半导体制造商的关注,他们希望借此克服半导体加工中的效率难题,在对碳化硅材料进行有效抛光且避免表面损伤方面颇具挑战性。
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碳化硅具有极高的硬度和脆性的特征。在使用不适当的材料进行加工时,如果用力过猛,可能会导致碳化硅出现裂纹、缺陷和崩裂,从而无法用于制造精密的半导体元件,导致大量的收入损失。

 

晶片制造商传统上会在最后阶段使用化学机械抛光液(CMP)来获得无划痕且达到原子级光滑程度的表面。然而,CMP步骤对晶片制造商来说成本极高,由于化学废液和抛光时间等因素,其成本可占到晶片加工总成本的 50%。来了解一下海博锐的独特解决方案,以帮助晶片制造商有效地提高其碳化硅抛光工艺。

 

创新抛光工艺

 

在最后的抛光步骤中,晶片制造商通常会使用化学机械抛光液(CMP)来达到所需的表面光洁度,同时又不会对晶片造成亚表面损伤。尽管这种方法很有效,但化学机械抛光会产生大量化学废液,这迫使制造商去研发相关工艺以维持可持续发展的需要。除了化学废液成本外,抛光时间也很长,这在碳化硅晶片抛光流程中造成了潜在的瓶颈,在晶片制造商努力满足行业需求时,这一情况尤其具有挑战性。

 

A slurry polishing machine in action, shaping a circular object with precision in a production environment.

一台正在运行的抛光机,正在精准地对一个圆形物体进行塑形.

 

海博锐材料科技研发出了创新的Quantis™ 研磨液,这是一系列独特的微蚀刻金刚石研磨液,具有极高的材料去除率,旨在革新碳化硅的最终抛光工艺。Quantis™ 研磨液能确保高质量的外延层满足半导体行业的严格要求,同时降低表面粗糙度,并加快超硬基底晶片的抛光时间。通过采用Quantis™ 研磨液的两步抛光工艺,晶片制造商可节省高达 70% 的生产成本,从而大大提高了生产运营。

 

开启碳化硅晶片加工的未来

 

了解海博锐的Quantis™ 研磨液如何提高晶片制造商的碳化硅晶片制造工艺。了解这种创新的研磨液是如何帮助刀具制造商提升制造效率、降低成本以及实现卓越表面质量的。下载技术文章,以了解 Quantis 技术、测试结果以及有效两步抛光策略的更多信息。

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金刚石
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