To main content To menu

超细金刚石研磨液提升碳化硅晶片加工性能

为了满足创新型电子产业不断增长的需求,制造商面临着更快、更高效地开发高性能半导体的独特挑战。碳化硅(SiC)等新兴材料因其卓越的性能而备受关注,这些材料可以降低能耗、加快开关速度并延长电池寿命。碳化硅是一种经常用于半导体芯片生产的优质材料;然而,工具制造商在改进碳化硅晶片生产工艺和材料去除方法方面面临挑战,以充分发挥这种材料的全部潜力。
New Ultra-fine diamond slurry enhances SiC wafer processing

 

金刚石对改善碳化硅晶片加工的影响

 

晶圆制造商在加工碳化硅晶片时面临着巨大的挑战。其任务是以可控的速度去除材料,同时又不对碳化硅晶片表面造成划痕和缺陷。金刚石是世界上最坚硬的材料,在整个碳化硅晶片加工过程中,金刚石被用于在最后抛光阶段之前去除碳化硅材料。然而,由于金刚石存在划痕风险,因此在后期抛光步骤中很少使用金刚石。

 

在最后抛光阶段中,通常使用CMP抛光液来抛光晶片,使其达到所需的表面光洁度,且不会对表面造成损伤。化学机械抛光虽然有效,但需要很长的时间才能有效抛光,这就成为碳化硅晶片加工过程的一个瓶颈。

 

海博锐材料科技开发出了一种具有微蚀刻金刚石表面的新型超细金刚石研磨液。这种超细解决方案具有创新的表面,包含许多切削点,有助于在抛光碳化硅晶片时缩短加工时间,减少制造外延级晶片所需的时间。通过在碳化硅加工的后期阶段显著提高加工性能并具有出色的表面质量,为传统上耗时较长的CMP阶段提供了一个极具吸引力的替代方案。 

 

hyperion-slurries-and-compounds

海博锐金刚石研磨液

 

海博锐的新型超细金刚石研磨液提高了碳化硅晶片的加工性能

 

阅读文章“提高碳化硅晶片的加工性能”,了解利用海博锐的新型超细金刚石研磨液解决方案在缩短最后CMP抛光时间并提升整体碳化硅生产性能以生产出高质量碳化硅晶片的优势。下载技术说明,了解这种创新的金刚石方案如何实现比传统CMP抛光液更快的加工时间。

New Ultra-fine diamond slurry enhances SiC wafer processing
金刚石