海博锐通过减少CMP抛光来提高碳化硅晶片的产量

蓬勃发展的半导体市场要求在材料加工方面不断创新，尤其是碳化硅（SiC）等新兴材料。碳化硅用于电力电子、照明和射频设备，具有延长电池寿命、降低能耗和加快开关速度等优越性能。这些优势使碳化硅成为半导体材料中冉冉升起的新星，推动了对碳化硅晶圆需求的激增。因此，碳化硅晶圆和工具制造商面临着一个紧迫的挑战，即不断改进其碳化硅晶圆生产工艺和材料去除方法，以充分释放这种改变行业规则的新兴材料的潜力。

在晶片生产过程的各个步骤中，为避免出现碎裂或开裂，金刚石是用于加工碳化硅的一种常用材料。在这个过程的最后一个关键步骤是化学机械抛光（CMP）阶段，通常不使用金刚石。这一关键步骤可去除碳化硅晶圆中可能存在的表面缺陷。然而，这一步对时间非常敏感，往往成为影响产出效率的瓶颈。

本文讨论了海博锐材料科技如何利用亚微米级Hyperion™金刚石开发出一种新型研磨液，以减少最后的CMP抛光阶段，从而在节省时间和成本的同时，高效生产出表面光洁度极佳的外延晶圆。海博锐提供了这一全新解决方案的实验室和测试结果，以及其增强碳化硅晶圆加工的能力。

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